张杰

发布时间:2017-05-11阅读次数:

办公地点 弘道楼2422 研究方向 低维功能材料制备及器件…
学位职称 博士/ 讲师

个人简介

张杰,女,博士,讲师。现为云顶娱乐官网下载物理与电子工程学院教师。从2016年~至今,一直在高校从事基础教学工作,主要讲授电工学等课程。

主要科研方向是低维功能材料制备及器件加工,发表论文多篇,其中4篇被国际权威检索系统SCI收录。

主要承担的教学课程

电工学

研究方向

低维功能材料制备及器件加工

主要科研项目

1. 参与科技部国际合作项目:相变存储芯片关键技术的合作研发S2011ZR0241

2. 参与苏州市应用基础研究计划:Ge-Sb-Te相变材料的制备及其性能研究SYG201312

代表性论文或专利

期刊论文

1.    Zhang J, Liu HB, Huang R, Kong T, Cheng GS.Controllable growth of InN nanostructures[J]. Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing, 2012, 2(2): 112-122.

2.    Zhang J, Huang R, Shi L, Wang L, Wei FF, Kong T, Cheng GS. Bi doping modulating structure and phase-change properties of GeTe nanowires[J]. Applied Physics Letters, 2013, 102(6): 63104.

3.    Zhang J, Kong T, Huang R, Wei FF, Cheng GS. Bismuth doping strategies in GeTe nanowires to promote high-temperature phase transition from rhombohedral to face-centered cubic structure[J]. Applied Physics Letters, 2014, 102(20): 202103.

4.    Huang R,Zhang J, Wei FF, Shi L, Kong T, Cheng GS. Ultrahigh Responsivity of Ternary Sb-Bi-Se Nanowire Photodetectors[J].Advanced Functional Materials, 2014,24: 3581-3586.

5.    Huang R,Zhang J, Wei FF, Kong T, Cheng GS. Optimized responsivity of size-tailored SbBiSe3nanowire photodetectors[J].Advanced Materials Research, 2014, 893: 182-185.

6.    Wei FF, Wang L, Kong T, Shi L, Huang R,Zhang J, Cheng GS. Amorphous thermal stability of Al-doped Sb2Te3films for phase-change memory application[J]. Applied Physics Letters, 2013, 103(18): 181908.

发明专利

1.    程国胜,张杰,孔涛,黄荣,卫芬芬,纳米结构碲单晶的制备方法:中国,201310547345.4[P].

2.    程国胜,张杰,孔涛,黄荣,卫芬芬,相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元:中国,201410075734.6[P].

3.    孔涛,黄荣,张杰,卫芬芬,程国胜,一种相变存储单元及其制备方法:中国,201410057134.7[P].

授权实用新型专利

1.    孔涛,张杰,黄荣,卫芬芬,程国胜,一种相变存储器加热电极及相变存储器:中国,ZL201420162810.2[P].

2.    孔涛,黄荣,张杰,卫芬芬,程国胜,一种相变存储单元:中国,ZL201420072764.7[P].

3.    孔涛,黄荣,张杰,卫芬芬,程国胜,相变存储器存储单元结构:中国,ZL201420161782.2[P].

联系方式

Email:zj2016 @cslg.edu.cn