王书昶

发布时间:2017-05-17阅读次数:

办公地点 弘道楼2421 研究方向 光电子材料与器件
学位职称 博士/ 讲师


个人简介

王书昶,工学博士。2015年8月毕业于东南大学电子科学与工程学院,获工学博士学位。2014年1-5月,受邀到国立台湾大学光电工程学研究所进行短期学术访问。2015年9月进入云顶娱乐官网下载物理与电子工程学院工作。

目前正在开展以氮化镓(GaN)为基础的宽禁带半导体材料和器件的研发工作。近年来在Optics Express, Electronic Materials Letters,Journal of Materials Science Materials in Electronics等国际杂志上发表SCI收录学术论文20余篇,其中第一作者6篇。发表国际会议论文6篇,授权发明专利2项,实用新型专利2项。目前主持苏州市2016年度产业前瞻性应用研究(工业)指导性项目1项。

主要承担的教学课程

光电传感器技术、光电子材料与器件、光电专业英语等课程

研究方向

宽禁带半导体材料生长和器件制备

主要科研项目

1. 2016.7-至今,苏州市科技计划项目“非极性ALGaN薄膜材料制备及在紫外LED中的应用研究”,在研,主持

2. 2014.5-2015.5江苏省2014年度普通高校研究生科研创新计划项目,基于A1GaN材料的紫外LED关键技术研发,项目编号:KYLX_0127,已结题,主持

3. 2017/01-至今,国家自然科学基金应急管理项目,61640407,AlGaN日盲雪崩光电探测器的极化与离化工程协同调控研究,在研,参与

4. 2015.08-至今,江苏省科技厅重点研发计划,具有纳米周期结构的AlGaN基非极性紫外LED的研发,在研,参与

5. 2010.12-2011.12江苏省科技支撑计划(工业)项目,太阳能电池中高性能透明导电氧化物薄膜的研究开发,BE2009106,已结题,参与

6. 2009.05-2010.01江苏省科技厅重大项目,高效率GaN芯片电致发光的关键技术研究与产业化,已结题,参与

代表性论文

1. Shuchang Wang, Xiong Zhang, Qian Dai, Zhe Chuan Feng, and Yiping Cui, An X-ray diffraction and Raman spectroscopy investigation of AlGaN epi-layers with high Al composition.Optik-International Journal for Light and Electron Optics, 131, 201-206 (2017).

2. Shuchang Wang,Xiong Zhang, Hongquan Yang, and Yiping Cui, Effect of Fluctuation in Al Incorporation on Microstructure, Bond Length and Surface Properties of AlxGa1-xN Epitaxial Layer,Electronic Materials Letters, 11(4), 675-681 (2015).

3. Shuchang Wang, Xiong Zhang, Zhe Chuan Feng, and Yiping Cui, Surface chemical and local electronic properties of AlxGa1-xN epi-layers grown by MOCVD,Optics Express,22(14), 17440-17447 (2014).

4. Shuchang Wang, Xiong Zhang, Muchi Liu, Bowei Wang, Zhe Chuan Feng, and Yiping Cui, Study of Lattice Deformation and Atomic Bond Length for AlxGa1-xN Epi-layers with Synchrotron Radiation X-ray Absorption Spectroscopy,Journal of Materials Science Materials in Electronics, 25(11), 4800-4805 (2014).

5. Shuchang Wang, Xiong Zhang, Hao Guo, Hongquan Yang, Min Zhu, Liwen Cheng, Xianghua Zeng and Yiping Cui, Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes by using a p-InAlGaN/GaN superlattice as electron blocking layer,Journal of Modern Optics, 60(21), 2012-2017 (2013).

6. Shuchang Wang, Xiong Zhang, Min Zhu, Fadi Li, Yiping Cui, Crack-free Si-doped n-AlGaN film grown on sapphire substrate with high-temperature AlN interlayer,Optik-International Journal for Light and Electron Optics,126(23), 3698-3702 (2015).


授权发明专利

1. 张雄,王书昶,崔一平,一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法,2016.06.15,中国,CN201410462571.7

2. 张雄,王春霞,王书昶,崔一平,一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法,2016.04.13,中国,CN201310232613.3


授权实用新型专利

1.王书昶,郭文华,况亚伟,李中国,张惠国,邢进华,一种PIN结构紫外光电探测器, 2016-04-21, 中国,CN201620338354.1


联系方式

E-mail:scw@cslg.edu.cn

通信地址:江苏省常熟市南三环路99号 云顶娱乐官网下载

邮政编码:215500